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400층 넘는 설계, 42 Gb/mm²… Micron G11 NAND, 비트 밀도 2배를 노린다

2026-11-05 · 출처:Tom's Hardware

400층 넘는 설계, 42 Gb/mm²… Micron G11 NAND, 비트 밀도 2배를 노린다

5,400 MT/s 인터페이스 속도는 이번 밀도 도약이 저렴한 용량만이 아니라 성능이 절대적인 SSD 워크로드를 겨냥한 대역폭과 짝을 이뤘음을 뜻한다.

제곱밀리미터당 42기가비트. Micron이 차세대 G11 3D NAND에 대해 내놓은 비트 밀도 주장이다. 400층을 넘는 레이어 스택 위에 세운 설계로, 이전 세대 실리콘 대비 밀도를 대략 2배로 끌어올리는 것으로 포지셔닝됐다.

밀도는 NAND 경제학의 조용한 지렛대다. 같은 다이 면적에 더 많은 비트가 들어가면 웨이퍼 하나에서 판매 가능한 용량이 늘어나고, 테라바이트 가격 뒤에 깔린 원가 구조가 바뀐다. SSD 업체들에게 42 Gb/mm² 공정은 예전이라면 훨씬 많은 다이가 필요했던 용량으로 드라이브를 조립할 여유를 열어준다. Micron이 G11로 예고하는 초대용량 스토리지로 가는 직행로다.

두 번째 헤드라인 수치는 인터페이스 속도 5,400 MT/s다. 인터페이스 처리량은 NAND 배열과 컨트롤러 사이에서 데이터가 얼마나 빠르게 오가는지를 좌우하고, 이 속도를 두고 Micron은 G11을 단순한 용량 카드 이상으로 내세운다. 성능이 굶주린 워크로드에 데이터를 밀어 넣도록 설계된 실리콘이다. 회사가 차세대 SSD에 약속하는 초대용량·초고성능 짝의 나머지 절반이다.

AI 인프라 구매자들에게 스토리지는 갈수록 일정 문제가 되고 있다. 디스크에서 데이터셋이 흘러나오는 동안 가속기 클러스터는 놀고 있는 것이다. 더 높은 비트 밀도는 대규모 데이터를 컴퓨팅 가까이 붙잡아 두는 데 필요한 실리콘, 나아가 랙 점유 면적을 줄여주고, 더 빠른 인터페이스는 그 병목의 반대쪽 끝을 공략한다. 두 다이얼을 동시에 움직이는 NAND 세대는 드물다. 밀도 이득은 역사적으로 속도와 상충해 왔고, 바로 그래서 두 지표를 동시에 내건 G11의 주장은 데이터 센터 스토리지 규격을 정하는 사람들의 검증을 받게 될 것이다.

지금으로선 출하 제품의 수치가 아니라 로드맵 위의 주장이다. 그러나 G11이 밀도와 인터페이스 수치를 그대로 갖고 등장한다면 용량과 처리량 양면에서 엔터프라이즈 SSD에 기대할 수 있는 기준선이 다시 그려질 것이다.

태그: Micron · G11 3D NAND · 3D NAND · SSD · NAND Flash · Memory


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